Analyse und Modellierung des Alterungsverhaltens Lateraler DMOS-Transistoren bei Belastung durch heiße Ladungsträger von Riedlberger, Eva 1981-

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Aspekte der Zuverlässigkeitsauslegung von gepulsten DMOS Endstufen von Mann, Alexander 1989-

Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf der Silicium- und Kohlenstoffseite von 4H-Siliciumcarbid von Grieb, Michael 1980-

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Entwicklung von CMOS-kompatiblen 50V-"Smart-Power"-Prozessen mit vollständiger dielektrischer Isolation auf BSOI- und lokalen SIMOX-Substraten von Weyers, Joachim

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Fertigung von integrierten Leistungsbauelementen in dielektrisch isolierten Substraten: Elektrische und thermische Eigenschaften unter Berücksichtigung möglicher thermoelektrischer... von Apel, Uwe

Analyse und Modellierung des DMOS-Transistors von Deml, Christoph

Development of an electrical and thermal compact model for lateral double-diffused MOS transistors and high voltage MOSFETs von Moebus, Kai E.

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Analyse und Modellierung des DMOS-Transistors von Deml, Christoph

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Single stress safe operating area of DMOS transistors integrated in smart power technologies von Denison, Marie 1974-

Analyse und Modellierung des DMOS-Transistors von Deml, Christoph

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MOS-kompatible Integrationstechnik zum Aufbau von Hochspannungsschaltern über 10 kV in einem Siliziumchip von Mankowski, Volker

Fertigung von integrierten Leistungsbauelementen in dielektrisch isolierten Substraten elektrische und thermische Eigenschaften unter Berücksichtigung möglicher thermoelektrischer... von Apel, Uwe

Einfluß der Epitaxieschicht auf das DC-Verhalten des vertikalen Leistungs-DMOS-Transistors von Kreuzer, Christian

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