Design and performance analysis of Tri-gate GaN HEMTs

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Alsharef, Mohamed 1978- (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Ilmenau TU Ilmenau 2020
Schlagworte:	Grenzflächenpotenzial HEMT Galliumnitrid Leistungselektronik Hochschulschrift
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