Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Device Physics and Applications

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Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Park, Byung-Eun (HerausgeberIn), Ishiwara, Hiroshi (HerausgeberIn), Okuyama, Masanori (HerausgeberIn), Sakai, Shigeki (HerausgeberIn), Yoon, Sung-Min (HerausgeberIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: Singapore Springer Singapore 2020
Singapore Springer
Ausgabe:2nd ed. 2020
Schriftenreihe:Topics in Applied Physics 131
Schlagworte:
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