GaN transistors for efficient power conversion

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Lidow, Alex 1954- (VerfasserIn), De Rooij, Michael 1969- (VerfasserIn), Strydom, Johan 1952- (VerfasserIn), Reusch, David 198X- (VerfasserIn), Glaser, John (VerfasserIn)
Format:	Elektronisch E-Book
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Hoboken, NJ Wiley [2020]
Ausgabe:	Third edition
Schlagworte:	HEMT Galliumnitrid Energieumwandlung Effizienz Field-effect transistors / Materials Power transistors / Materials Gallium nitride Electronic books
Online-Zugang:	DE-92 DE-91 DE-29 URL des Erstveröffentlichers
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