Power GaN devices materials, applications and reliability

Bibliographische Detailangaben

Weitere Verfasser:	Meneghini, Matteo (HerausgeberIn)
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	[Cham], Switzerland Springer [2017]
Schriftenreihe:	Power electronics and power systems
Schlagworte:	Hochleistungswerkstoff Halbleiter Galliumnitrid GaN-based nanowire transistors GaN-based power transistors GaN-based vertical transistors Gallium nitride power transistors Lateral GaN-based power devices Nanowire-based HEMTs Normally-off devices Power GaN device reliability Single and double heterostructure devices
Online-Zugang:	http://www.springer.com/ Inhaltstext
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