Non-radiative loss mechanisms in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Gespeichert in:
1. Verfasser: | Nippert, Felix (VerfasserIn) |
---|---|
Format: | Abschlussarbeit Elektronisch E-Book |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
Berlin
2017
|
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | kostenfrei |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Ähnliche Einträge
-
InGaN/GaN nanorod LEDs with novel transparent contacts = InGaN/GaN-Nanosäulen-LEDs mit neuartigen transparenten Kontakten
von: Latzel, Michael
Veröffentlicht: (2017) -
Charakterisierung und Prozeßtechnik von (In)GaN-Halbleiterstrukturen ein Beitrag zum Verständnis der Einflußparameter bei elektro-optischen Halbleiteremittern im blau-grünen Spektralbereich
von: Schineller, Bernd 1970-
Veröffentlicht: (2000) -
History of Gallium-Nitride-based light-emitting diodes for illumination the history of development for GaN-based light-emitting diodes (LEDs) is reviewed, including the breakthroughs enabling the first devices ...
von: Nakamura, Shuji 1954-, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Ortsaufgelöste Kurzzeitspektroskopie an GaN InGaN
von: Ibach, Wolfram 1971-
Veröffentlicht: (2002) -
Growth and analysis of blue LEDs comprising quaternary AllnGaN
von: Ahl, Jan-Philipp Gregor 1986-
Veröffentlicht: (2015)