Role of substrates morphology and chemistry in ALD HfO₂ on Si(111)-H terminated surfaces as model

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Rouissi, Zied (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Cottbus ; Senftenberg 2017
Schlagworte:	Halbleiteroberfläche Atomlagenabscheidung Schichtwachstum Rastertunnelmikroskopie Hochschulschrift
Online-Zugang:	kostenfrei kostenfrei kostenfrei
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