Growth and characterization of InGaAs based nanowire-heterostructures
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
2017
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Ausgabe: | 1. Auflage |
Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
Vol. 201 |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
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