Growth and characterization of InGaAs based nanowire-heterostructures

Growth and characterization of InGaAs based nanowire-heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Treu, Julian Pascal (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Garching Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München 2017
Ausgabe:	1. Auflage
Schriftenreihe:	Selected topics of semiconductor physics and technology Vol. 201
Schlagworte:	Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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