Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer Verlag
[2016]
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 7
2 DREIDIMENISONALE INTEGRATION IM WAFER LEVEL PACKAGING 8
2.1 HINTERGRUND UND MOTIVATION VON DREIDIMENSIONALER IN TE G RA TIO N
...............
8
2.2 LAGENAUFBAU VON CMOS-WAFERN UND DEREN ANKONTAKTIERUNG MITTELS
THROUGH
SILICON VIAS
(TSVS)..........................................................................................
11
2.3 PROZESSFLUSS EINER 3D-INTEGRATION MIT TS VS VON DER R UECKSEITE
..................
17
2.4 ABSCHAETZUNG DER GEOMETRIE VON TSV-STRUKTUREN MIT SCHRAEGEM SEITENWIN
KEL FUER DAS WAFER LEVEL
PACKAGING..................................................................
21
2.5 STAND DER TECHNIK ZUR ERZEUGUNG VON LOECHERN IN S ILIZIUM
........................
24
2.6 F A Z
IT..................................................................................................................
31
3 PLASMAAETZEN VON SILIZIUM 33
3.1 EINGRENZUNG DES BEGRIFFES PLASMA FUER DIE SILIZIUMBEARBEITUNG
..................
33
3.2 ANLAGENTECHNIK UND
PLASMARANDSCHICHT.........................................................
35
3.3 AETZMECHANISMEN AUF DER SUBSTRATOBERFLAECHE IM P LASM A
..............................
39
3.4 WINKELABHAENGIGKEIT DES IONENBOMBARDEMENTS AUS DEM P L A S M A
...............
41
3.5 ERZEUGUNG UND KONTROLLE VON ANISOTROPEN AETZUNGEN
.................................
43
3.6 F A Z
IT..................................................................................................................
46
4 MODELL ZUR KONTROLLE DES FLANKENWINKELS VON TSVS BEI DER AETZUNG MIT
SCHWE
FELHEXAFLUORID UND SAUERSTOFF 47
4.1 STATISTISCHES MODELL DER CHEMISCHEN VORGAENGE BEIM STATIONAEREN AETZEN
. . 47
4.2 ABSCHAETZUNG DER LOKALEN FLUESSE DER AM AETZ VORGANG BETEILIGTEN
SPEZIES IM
VIA MITTELS MONTE CARLO SIMULATION
............................................................ 53
4.2.1 MODELLIERUNG DER PARTIKEL-SEITENWANDINTERAKTIONEN
........................
53
4.2.2 LOKALE VERTEILUNG DER PARTIKEL IM TSV IN ABHAENGIGKEIT UNTER
SCHIEDLICHER
FLANKENWINKEL..................................................................
58
4.3 AETZFORTSCHRITT AN DER S EITEN W AN D
.................................................................. 65
4.4 EINFLUSS VON PARAMETERAENDERUNGEN AUF DIE ENTWICKLUNG DES VIAPROFILS
. . . 74
4.5 AETZFORTSCHRITT AM S TRU K TU RB O D EN
.................................................................. 79
4.6 F A Z IT
...................................
82
5 EXPERIMENTELLER ANSATZ UND VERWENDETE GERAETETECHNIK 84
5.1 AUFBAU DES SILIZIUM
AETZERS..............................................................................
84
5.2
PROBENPRAEPARATION..........................................................................................
85
5.3 BEWERTUNG DER E
RGEBNISSE..............................................................................
85
6 VERIFIKATION DES NEUEN MODELLS ZUR AETZUNG VON TSVS MIT KONTROLLIERTEM
FLAN
KENWINKEL 88
6.1 AUSWIRKUNGEN EINZELNER PROZESSPARAMETER AUF DIE V IAFORM
........................
88
6.2 UNTERSUCHUNG VON PARAMETERWECHSELWIRKUNGEN AUF DIE V IAFO RM
...............
98
6.2.1 VORGEHENS W E ISE
................................
99
6.2.2
ERGEBNISSE...............................................................................................
100
6.2.3 A USW
ERTUNG............................................................................................
102
6.3 F A Z
IT....................................................................................................................
109
7 ANWENDUNG VON TSVS MIT SCHRAEGER SEITENWAND FUER DEN EINSATZ BEI DER
HER
STELLUNG VON HOCHMINIATURISIERTEN KAMERAMODULEN 111
7.1 SPEZIFIKATION DES B ILDSENSORCHIPS
....................................................................
111
7.2 AUFBAUKONZEPT AUF WAFER L E V E L
.......................................................................
112
7.3 HERSTELLUNG VON TSVS MIT SCHRAEGER SEITENWAND MIT POLYMERER
NIEDERTEM-
PERATURUM
VERDRAHTUNG......................................................................................
114
7.4 INTEGRATION VON OPTIK- UND BILDSENSORWAFER UND VEREINZELUNG
......................
124
7.5 TEST DER K AM ERAM
ODULE...................................................................................
124
7.6 F A Z
IT....................................................................................................................
126
8 ZUSAMMENFASSUNG 129
9 SUMMARY 132
SYMBOLVERZEICHNIS 136
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 140
LITERATUR 142
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