Ferroelectric-gate field effect transistor memories device physics and applications

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Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Park, Byung-Eun (HerausgeberIn), Ishiwara, Hiroshi 1945- (HerausgeberIn), Okuyama, Masanori (HerausgeberIn), Sakai, Shigeki (HerausgeberIn), Yoon, Sung-Min (HerausgeberIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Dordrecht Springer [2016]
Schriftenreihe:Topics in applied physics 131
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