Gerichtete Erstarrung von einkristallinen Siliciumkristallen nach dem VGF-Verfahren für die Anwendung in der Photovoltaik
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| Veröffentlicht: |
Stuttgart
Fraunhofer
2014
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|---|---|
| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG 1
ABSTRACT 5
KAPITEL 1. EINLEITUNG 9
1.1 SOLARZELLEN 9
1.2 HERSTELLUNG VON SILICIUMKRISTALLEN FUER DIE PHOTOVOLTAIK 10
1.3 STAND DER LITERATUR ZUR QUASI-MONO-TECHNOLOGIE 17
1.4 ZIELSETZUNG UND GLIEDERUNG DER ARBEIT 20
KAPITEL 2. KRISTALLDEFEKTE IN SILICIUM 23
2.1 VERSETZUNGEN 24
2.1.1 DEFINITION UND ENTSTEHUNG 24
2.1.2 BEWEGUNG UND MULTIPLIKATION 27
2.1.3 ELEKTRISCHE AKTIVITAET 29
2.2 KORNGRENZEN 32
2.2.1 DEFINITION UND BEZEICHNUNG 32
2.2.2 ENERGETISCHE BETRACHTUNG 35
2.2.3 KRISTALLZWILLING 37
2.2.4 ELEKTRISCHE AKTIVITAET 40
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INHALTSVERZEICHNIS
KAPITEL 3. EXPERIMENTELLER AUFBAU UND ZUECHTUNGSABLAUF 43
3.1 KRISTALLZUECHTUNGSANLAGE UND PRINZIP DER GERICHTETEN ERSTARRUNG NACH
DEM VGF-VERFAHREN 43
3.2 KEIMPRAEPARATION 45
3.3 PROZESSABLAUF 46
KAPITEL 4. PROBENPRAEPARATION UND CHARAKTERISIERUNG 53
4.1 PROBENPRAEPARATION 53
4.2 DETEKTION VON FREMDPHASEN 54
4.3 BESTIMMUNG DER PHASENGRENZFORM 55
4.4 DETEKTION DER KORNSTRUKTUR UND BESTIMMUNG DER KORNORIENTIERUNG
....55
4.5 ANALYSE VON KORNGRENZEN UND VERSETZUNGEN 57
4.6 UNTERSUCHUNG DER ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN 59
KAPITEL 5. SILICIUMKRISTALLWACHSTUM, AUSGEHEND VON MONOLITHISCHER,
EINKRISTALLINER KEIMVORGABE 61
5.1 VORBETRACHTUNGEN ZU DEN PROZESSVARIANTEN 62
5.2 ERGEBNISSE ZUM EINKRISTALLINEN WACHSTUM 67
5.2.1 KORNSTRUKTUR UND KORNORIENTIERUNG 67
5.2.2 VERSETZUNGSDICHTE 74
5.2.3 ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN 79
5.3 DISKUSSION ZUM EINKRISTALLINEN WACHSTUM 81
5.3.1 WACHSTUMSVERHALTEN IN DEN RANDBEREICHEN 81
5.3.2 VERSETZUNGSENTWICKLUNG MIT ZUNEHMENDER KRISTALLHOEHE 91
5.3.3 ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DES KRISTALLMATERIALS 95
U
INHALTSVERZEICHNIS
KAPITEL 6. SILICIUMKRISTALLWACHSTUM, AUSGEHEND VON NODULARER,
EINKRISTALLINER KEIMVORGABE 101
6.1 VORBEMERKUNGEN 101
6.2 EINFLUSS VON SL-SPALTEN AUF DIE DEFEKTBILDUNG 104
6.2.1 ANKEIMEN UND KRISTALLWACHSTUM INNERHALB DER SPALTE 104
6.2.2 DISKUSSION ZU WACHSTUMSVERHALTEN UND VERSETZUNGSBILDUNG
INNERHALB DER SPALTE 114
6.2.3 KRISTALLWACHSTUM UND VERSETZUNGSENTWICKLUNG OBERHALB
DER SPALTE 122
6.2.4 QUANTITATIVE BESTIMMUNG DER VERSETZUNGSDICHTE UND ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN DES KRISTALLMATERIALS 130
6.2.5 DISKUSSION ZUR VERSETZUNGSENTWICKLUNG OBERHALB DER SPALTE UND
DEN AUSWIRKUNGEN AUF DIE ELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN 133
6.2.6 AUSWIRKUNG EINER OPTIMIERTEN KEIMPRAEPARATION AUF DIE
VERSETZUNGSBILDUNG INNERHALB UND OBERHALB DER SPALTE 139
6.2.7 DISKUSSION ZUR OPTIMIERTEN KEIMPRAEPARATION 145
6.3 EINFLUSS VON KOMGRENZEN ^ EL AUF DIE DEFEKTBILDUNG 149
6.3.1 ERGEBNISSE ZU KORNGRENZENBILDUNG UND
-WACHSTUM
151
6.3.2 DISKUSSION ZU ENTSTEHUNG UND WACHSTUMSVERHALTEN VON
EINGESTELLTEN KORNGRENZEN UND DEREN AUSWIRKUNG AUF DIE
VERSETZUNGSBILDUNG
161
6.4 ERWEITERUNG DES ZWILLING-MODELLS AUS KAPITEL 5 167
KAPITEL 7. ZUSAMMENFASSENDE BEWERTUNG UND AUSBLICK 173
VERWENDETE ABKUERZUNGEN UND SYMBOLE 181
LITERATURVERZEICHNIS 183
VEROEFFENTLICHUNGEN UND PATENTE 199
BETREUTE DIPLOM- UND BACHELORARBEITEN 201
DANKSAGUNG 203
III
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