Nanometer variation-tolerant SRAM circuits and statistical design for yield

<p>Variability is one of the most challenging obstacles for IC design in the nanometer regime.  In nanometer technologies, SRAM show an increased sensitivity to process variations due to low-voltage operation requirements, which are aggravated by the strong demand for lower power consumption a...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Abū-Raḥma, Muḥammad (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: New York, NY [u.a.] Springer 2013
Schlagworte:
Online-Zugang:DE-634
DE-Aug4
DE-573
DE-92
DE-898
DE-859
DE-863
DE-706
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