Ferroelectric random access memories fundamentals and applications ; with 12 tables

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Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Ishiwara, Hiroshi (HerausgeberIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Berlin ; Heidelberg ; New York ; Hong Kong ; London ; Milan ; Paris ; Tokyo Springer 2004
Schriftenreihe:Topics in applied physics 93
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