Ferroelectric random access memories fundamentals and applications ; with 12 tables

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser: Ishiwara, Hiroshi (HerausgeberIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Berlin ; Heidelberg ; New York ; Hong Kong ; London ; Milan ; Paris ; Tokyo Springer 2004
Schriftenreihe:Topics in applied physics 93
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Beschreibung:XIII, 290 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:3540407189