AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren

Untersuchungen zu SCHOTTKY-Kontakten auf Si(111)- und In 0,52 Al 0,48 As(100)-Oberflächen
von: Weyers, Sascha 1970-
Veröffentlicht: (2000)

Molekularstrahlepitaxie vertikal emittierender InGaAs-Laser-Strukturen mit periodischer Gewinnstruktur
von: Golling, Matthias Christoph 1971-
Veröffentlicht: (2004)

Epitaxie und Charakterisierung von Quantenpunktlasern für Hochleistungs- und Telekommunikationsanwendungen
von: Deubert, Stefan 1976-
Veröffentlicht: (2007)

Selektive metallorganische Molekularstrahlepitaxie von InP und InGaAs für Heterobipolartransistor-Anwendungen
von: Schelhase, Stefan 1966-
Veröffentlicht: (1999)

Heteroschichtstrukturen im Materialsystem In-Ga-Al-As/InP
von: Schneider, Jürgen M.
Veröffentlicht: (1997)

Molekularstrahlepitaxie von Quantenstrukturen breitlückiger II-VI-Halbleiter
von: Rabe, Michael 1970-
Veröffentlicht: (1998)

Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen IngGa1-gAs-Kanalschichten für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
von: Kraus, Jörg
Veröffentlicht: (1994)

Epitaxie von InAs-Quanten-Dash-Strukturen auf InP und ihre Anwendung in Telekommunikationslasern
von: Schwertberger, Ruth 1975-
Veröffentlicht: (2005)

Low temperature grown inP-based HFET characterization and modelling
von: Lee, Li-heng
Veröffentlicht: (2001)

Entwurf und Realisierung neuartiger InP InGaAs basierter Hochgeschwindigkeits-Photodetektoren
von: Kollakowski, Stefan
Veröffentlicht: (1998)

InGaAs field effect transistors
von: Heime, Klaus
Veröffentlicht: (1989)

Vertikale elektrooptische Modulatoren für die optische Verbindungstechnik im Gbit/s-Bereich
von: Zumkley, Stefan
Veröffentlicht: (1997)

AlAs-InGaAs-RTDs auf InP und ihre Anwendungen in Triggerschaltungen und im mm-Wellenbereich
von: Yousif, Farid 1965-
Veröffentlicht: (2002)

Femtosekunden-Infrarotspektroskopie zur kohärenten und inkohärenten Intersubbanddynamik in GaInAs AlInAs Quantentöpfen
von: Lutgen, Stephan 1966-
Veröffentlicht: (1997)

Wachstum und Charakterisierung von gitterfehlangepaßten In(GaAl)As-Heterostrukturen
von: Klein, Wolfgang
Veröffentlicht: (1995)

Leistungs-Infrarotdioden aus Gallium-Aluminium-Arsenid
von: Aengenheister, Jörg, et al.
Veröffentlicht: (1983)

GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits
von: Su, Li Man
Veröffentlicht: (1984)

Simulation of GaAs/AlGaAs quantum dots and molecules
von: Graf, Andreas
Veröffentlicht: (2016)

Untersuchungen zur direkt-epitaktischen Nanostrukturierung von GaAs
von: Brandt, Oliver
Veröffentlicht: (1991)

Untersuchungen zur direkt-epitaktischen Nanostrukturierung von GaAs
von: Brandt, Oliver
Veröffentlicht: (1991)

GaInAs-AlGaAs-Quantenpunktlaser für Telekommunikationsanwendungen mit einer Wellenlänge von 1,3 Mym
von: Gerschütz, Florian 1980-
Veröffentlicht: (2010)

GaInAs-AlGaAs-Quantenpunktlaser für Telekommunikationsanwendungen mit einer Wellenlänge von 1,3 Mym = GaInAs/AlGaAs quantum dot lasers for telecommunication applications at a wavelength of 1.3 Mym
von: Gerschütz, Florian 1980-
Veröffentlicht: (2010)

Epitaktische InGaAsP-InP-Schichten für Komponenten der integrierten Optik
von: Fiedler, Friedrich 1938-2022
Veröffentlicht: (1987)

Ein- und nulldimensionale elektronische Systeme in AIGaAS/GaAs-Heterostrukturen
von: Demel, Thorsten
Veröffentlicht: (1990)

Herstellung und spektroskopische Untersuchung von quasi-eindimensionalen Elektronensystemen auf AlxGa 1 -xAs-GaAs Heterostrukturen
von: Hansen, Wolfgang
Veröffentlicht: (1987)

Selektive und konforme Abscheidung von (Al)GaAs mittels alternativer chlorhaltiger Metallorganika
von: Philippens, Marc 1973-
Veröffentlicht: (2001)

Untersuchung von miniaturisierten GaAs/AlGaAs Feldeffekttransistoren und GaAs/InGaAs/AlGaAs Flash-Speichern
von: Schliemann, Andreas Ulrich 1974-
Veröffentlicht: (2004)

Dimensionierung und Optimierung quantenfilmgesteuerter Richtkoppler im InP-InGaAsP Materialsystem
von: Sauer, Bernd
Veröffentlicht: (1993)

Dimensionierung und Optimierung quantenfilmgesteuerter Richtkoppler im InP-InGaAsP-Materialsystem
von: Sauer, Bernd
Veröffentlicht: (1993)

MBE-Wachstum von ZnMnSe zur Spininjektion in GaAs-AlGaAs-Heterostrukturen
von: Leeb, Tobias
Veröffentlicht: (2009)

In-situ-Trockenätzen und molekularstrahlepitaktisches Überwachsen als Methode zur Herstellung von niederdimensionalen Elektronensystemen
von: Kramp, Stefan
Veröffentlicht: (2000)

Reflection high energy-electron diffraction studies of semiconductor interfaces during molecular beam epitaxy growth
von: Braun, Wolfgang
Veröffentlicht: (1996)

Molekularstrahlepitaxie für hocheffiziente Laserdioden mit Vertikalresonator
von: Reiner, Gernot
Veröffentlicht: (1999)

Herstellung und Untersuchung von (GaIn)(NAs)/GaAs-Halbleiterstrukturen
von: Höhnsdorf, Falko 1972-
Veröffentlicht: (2000)

Technologie und Charakterisierung hocheffizienter InAlGaAs-Vertikallaserdioden
von: Weigl, Bernhard
Veröffentlicht: (2000)

Spektroskopie einzelner Quantenpunkte in magnetischen und elektrischen Feldern
von: Heller, Wolfgang
Veröffentlicht: (1998)