Ramanspektroskopische Untersuchungen zur Entstehung von verspannten GaAs-SiGe-Heterostrukturen und Si-SiGe-Übergittern

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Brugger, Johann G. (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	1987
Schlagworte:	Germanium Raman-Spektroskopie Mischkristall Halbleiter Heterostruktur Silicium Deformation Übergitter Grenzfläche Galliumarsenid Hochschulschrift
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