Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Elektronisch E-Book |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2005
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | kostenfrei http://d-nb.info/976148897/34 kostenfrei |
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