Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren

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1. Verfasser: Krieger, Michael 1974- (VerfasserIn)
Format: Elektronisch E-Book
Sprache:German
Veröffentlicht: 2005
Schlagworte:
Online-Zugang:kostenfrei
http://d-nb.info/976148897/34
kostenfrei
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Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000nmm a2200000 c 4500
001 BV020007975
003 DE-604
005 20050905
006 a m||| 00|||
007 cr|uuu---uuuuu
008 050824s2005 |||| o||u| ||||||ger d
035 |a (OCoLC)163628464 
035 |a (DE-599)BVBBV020007975 
040 |a DE-604  |b ger  |e rakwb 
041 0 |a ger 
049 |a DE-384  |a DE-473  |a DE-703  |a DE-1051  |a DE-824  |a DE-29  |a DE-12  |a DE-91  |a DE-19  |a DE-1049  |a DE-92  |a DE-739  |a DE-898  |a DE-355  |a DE-20 
084 |a UP 3200  |0 (DE-625)146379:  |2 rvk 
100 1 |a Krieger, Michael  |d 1974-  |e Verfasser  |0 (DE-588)13029814X  |4 aut 
245 1 0 |a Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren  |c von Michael Krieger 
264 1 |c 2005 
300 |a 1 Online-Ressource 
336 |b txt  |2 rdacontent 
337 |b c  |2 rdamedia 
338 |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2005 
650 7 |a Elektronenbeweglichkeit  |2 swd 
650 7 |a MOS-FET  |2 swd 
650 7 |a Siliciumcarbid  |2 swd 
650 7 |a Tieftemperatur  |2 swd 
650 0 7 |a Elektronentransport  |0 (DE-588)4014344-2  |2 gnd  |9 rswk-swf 
650 0 7 |a Siliciumcarbid  |0 (DE-588)4055009-6  |2 gnd  |9 rswk-swf 
655 7 |0 (DE-588)4113937-9  |a Hochschulschrift  |2 gnd-content 
689 0 0 |a Siliciumcarbid  |0 (DE-588)4055009-6  |D s 
689 0 1 |a Elektronentransport  |0 (DE-588)4014344-2  |D s 
689 0 |5 DE-604 
856 4 0 |u https://open.fau.de/handle/openfau/152  |x Verlag  |z kostenfrei  |3 Volltext 
856 4 |u http://d-nb.info/976148897/34 
856 4 0 |u https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus-1830  |x Verlag  |z kostenfrei  |3 Volltext 
912 |a ebook 
999 |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013329589 

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_katkey 1520364
DE-BY-UBG_katkey 2140426
_version_ 1816712504726781952
any_adam_object
author Krieger, Michael 1974-
author_GND (DE-588)13029814X
author_facet Krieger, Michael 1974-
author_role aut
author_sort Krieger, Michael 1974-
author_variant m k mk
building Verbundindex
bvnumber BV020007975
classification_rvk UP 3200
collection ebook
ctrlnum (OCoLC)163628464
(DE-599)BVBBV020007975
discipline Physik
format Electronic
eBook
fullrecord <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01746nmm a2200445 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV020007975</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20050905 </controlfield><controlfield tag="006">a m||| 00||| </controlfield><controlfield tag="007">cr|uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">050824s2005 |||| o||u| ||||||ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)163628464</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV020007975</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-384</subfield><subfield code="a">DE-473</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-1051</subfield><subfield code="a">DE-824</subfield><subfield code="a">DE-29</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield><subfield code="a">DE-1049</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-739</subfield><subfield code="a">DE-898</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-20</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UP 3200</subfield><subfield code="0">(DE-625)146379:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Krieger, Michael</subfield><subfield code="d">1974-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)13029814X</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren</subfield><subfield code="c">von Michael Krieger</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2005</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1 Online-Ressource</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2005</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Elektronenbeweglichkeit</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Tieftemperatur</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronentransport</subfield><subfield code="0">(DE-588)4014344-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Siliciumcarbid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4055009-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Elektronentransport</subfield><subfield code="0">(DE-588)4014344-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://open.fau.de/handle/openfau/152</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2=" "><subfield code="u">http://d-nb.info/976148897/34</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus-1830</subfield><subfield code="x">Verlag</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield><subfield code="3">Volltext</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ebook</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013329589</subfield></datafield></record></collection>
genre (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet Hochschulschrift
id DE-604.BV020007975
illustrated Not Illustrated
index_date 2024-09-19T15:17:20Z
indexdate 2024-11-25T17:26:05Z
institution BVB
language German
oai_aleph_id oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-013329589
oclc_num 163628464
open_access_boolean 1
owner DE-384
DE-473
DE-BY-UBG
DE-703
DE-1051
DE-824
DE-29
DE-12
DE-91
DE-BY-TUM
DE-19
DE-BY-UBM
DE-1049
DE-92
DE-739
DE-898
DE-BY-UBR
DE-355
DE-BY-UBR
DE-20
owner_facet DE-384
DE-473
DE-BY-UBG
DE-703
DE-1051
DE-824
DE-29
DE-12
DE-91
DE-BY-TUM
DE-19
DE-BY-UBM
DE-1049
DE-92
DE-739
DE-898
DE-BY-UBR
DE-355
DE-BY-UBR
DE-20
physical 1 Online-Ressource
psigel ebook
publishDate 2005
publishDateSearch 2005
publishDateSort 2005
record_format marc
spellingShingle Krieger, Michael 1974-
Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
Elektronenbeweglichkeit swd
MOS-FET swd
Siliciumcarbid swd
Tieftemperatur swd
Elektronentransport (DE-588)4014344-2 gnd
Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd
subject_GND (DE-588)4014344-2
(DE-588)4055009-6
(DE-588)4113937-9
title Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
title_auth Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
title_exact_search Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
title_full Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren von Michael Krieger
title_fullStr Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren von Michael Krieger
title_full_unstemmed Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren von Michael Krieger
title_short Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
title_sort transporteigenschaften von elektronen in siliziumkarbid bei tiefen temperaturen und im kanal von metall oxid halbleiter transistoren
topic Elektronenbeweglichkeit swd
MOS-FET swd
Siliciumcarbid swd
Tieftemperatur swd
Elektronentransport (DE-588)4014344-2 gnd
Siliciumcarbid (DE-588)4055009-6 gnd
topic_facet Elektronenbeweglichkeit
MOS-FET
Siliciumcarbid
Tieftemperatur
Elektronentransport
Hochschulschrift
url https://open.fau.de/handle/openfau/152
http://d-nb.info/976148897/34
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus-1830
work_keys_str_mv AT kriegermichael transporteigenschaftenvonelektroneninsiliziumkarbidbeitiefentemperaturenundimkanalvonmetalloxidhalbleitertransistoren