Electron spin relaxation, transport and strain-induced precession in n-GaAs

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Beck, Markus (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Erlangen Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ. 2005
Schriftenreihe:	Physik mikrostrukturierter Halbleiter 40
Schlagworte:	n-Halbleiter Galliumarsenid Spinrelaxation Spinpolarisation Elektronentransport Hochschulschrift
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