Epitaxial growth of Si and 3C-SiC by chemical vapor deposition

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Zaia, Gilberto Vitor 1962- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2002
Schlagworte:	Silicium Kristallfläche CVD-Verfahren Siliciumcarbid Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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