Herstellung und Charakterisierung flächenoptimierter Hochvolttransistoren mit neuartiger Geometrie für nichtflüchtige Halbleiterspeicher

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Landgraf, Erhard (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	2002
Schlagworte:	MOS-Speicher Nichtflüchtiger Speicher Spannungsfestigkeit MOS Hochspannungstransistor Floating-Gate-Struktur Halbleiterspeicher Optimierung MOS-FET Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Beschreibung:	IX, 121 S. Ill., graph. Darst.

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