Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Velling, P. (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Erlangen Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ. 2002
Schriftenreihe:Physik mikrostrukturierter Halbleiter 24
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MARC

LEADER 00000nam a2200000 cb4500
001 BV014360595
003 DE-604
005 20030416
007 t|
008 020613s2002 xx ad|| m||| 00||| ger d
016 7 |a 964597951  |2 DE-101 
020 |a 3932392353  |9 3-932392-35-3 
035 |a (OCoLC)76346276 
035 |a (DE-599)BVBBV014360595 
040 |a DE-604  |b ger  |e rakwb 
041 0 |a ger 
049 |a DE-91  |a DE-12  |a DE-703  |a DE-29T 
084 |a FER 882d  |2 stub 
084 |a ELT 280d  |2 stub 
100 1 |a Velling, P.  |e Verfasser  |4 aut 
245 1 0 |a Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern  |c P. Velling 
264 1 |a Erlangen  |b Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ.  |c 2002 
300 |a VIII, 245 S.  |b Ill., graph. Darst. 
336 |b txt  |2 rdacontent 
337 |b n  |2 rdamedia 
338 |b nc  |2 rdacarrier 
490 1 |a Physik mikrostrukturierter Halbleiter  |v 24 
500 |a Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 2002 
650 0 7 |a MOCVD-Verfahren  |0 (DE-588)4314628-4  |2 gnd  |9 rswk-swf 
650 0 7 |a Drei-Fünf-Halbleiter  |0 (DE-588)4150649-2  |2 gnd  |9 rswk-swf 
650 0 7 |a Heterostruktur-Bauelement  |0 (DE-588)4236378-0  |2 gnd  |9 rswk-swf 
655 7 |0 (DE-588)4113937-9  |a Hochschulschrift  |2 gnd-content 
689 0 0 |a MOCVD-Verfahren  |0 (DE-588)4314628-4  |D s 
689 0 1 |a Heterostruktur-Bauelement  |0 (DE-588)4236378-0  |D s 
689 0 2 |a Drei-Fünf-Halbleiter  |0 (DE-588)4150649-2  |D s 
689 0 |5 DE-604 
830 0 |a Physik mikrostrukturierter Halbleiter  |v 24  |w (DE-604)BV011600531  |9 24 
943 1 |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009842081 

Datensatz im Suchindex

DE-BY-TUM_call_number 0001 78.2002 A 832
DE-BY-TUM_katkey 1277704
DE-BY-TUM_location Mag
DE-BY-TUM_media_number 040004583373
_version_ 1820889641291612161
any_adam_object
author Velling, P.
author_facet Velling, P.
author_role aut
author_sort Velling, P.
author_variant p v pv
building Verbundindex
bvnumber BV014360595
classification_tum FER 882d
ELT 280d
ctrlnum (OCoLC)76346276
(DE-599)BVBBV014360595
discipline Werkstoffwissenschaften / Fertigungstechnik
Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
format Book
fullrecord <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01672nam a2200421 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV014360595</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20030416 </controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">020613s2002 xx ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">964597951</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3932392353</subfield><subfield code="9">3-932392-35-3</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)76346276</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV014360595</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">FER 882d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 280d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Velling, P.</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern</subfield><subfield code="c">P. Velling</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Erlangen</subfield><subfield code="b">Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ.</subfield><subfield code="c">2002</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VIII, 245 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Physik mikrostrukturierter Halbleiter</subfield><subfield code="v">24</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 2002</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314628-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Heterostruktur-Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4236378-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOCVD-Verfahren</subfield><subfield code="0">(DE-588)4314628-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Heterostruktur-Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4236378-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Physik mikrostrukturierter Halbleiter</subfield><subfield code="v">24</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV011600531</subfield><subfield code="9">24</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009842081</subfield></datafield></record></collection>
genre (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet Hochschulschrift
id DE-604.BV014360595
illustrated Illustrated
indexdate 2024-12-23T15:55:59Z
institution BVB
isbn 3932392353
language German
oai_aleph_id oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-009842081
oclc_num 76346276
open_access_boolean
owner DE-91
DE-BY-TUM
DE-12
DE-703
DE-29T
owner_facet DE-91
DE-BY-TUM
DE-12
DE-703
DE-29T
physical VIII, 245 S. Ill., graph. Darst.
publishDate 2002
publishDateSearch 2002
publishDateSort 2002
publisher Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ.
record_format marc
series Physik mikrostrukturierter Halbleiter
series2 Physik mikrostrukturierter Halbleiter
spellingShingle Velling, P.
Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern
Physik mikrostrukturierter Halbleiter
MOCVD-Verfahren (DE-588)4314628-4 gnd
Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd
Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd
subject_GND (DE-588)4314628-4
(DE-588)4150649-2
(DE-588)4236378-0
(DE-588)4113937-9
title Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern
title_auth Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern
title_exact_search Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern
title_full Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern P. Velling
title_fullStr Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern P. Velling
title_full_unstemmed Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern P. Velling
title_short Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III-V-Halbleitern
title_sort zur metallorganischen gasphasenepitaxie movpe mittels nicht gasformiger quellen fur elektronische heterostruktur bauelemente basierend auf iii v halbleitern
topic MOCVD-Verfahren (DE-588)4314628-4 gnd
Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd
Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd
topic_facet MOCVD-Verfahren
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur-Bauelement
Hochschulschrift
volume_link (DE-604)BV011600531
work_keys_str_mv AT vellingp zurmetallorganischengasphasenepitaxiemovpemittelsnichtgasformigerquellenfurelektronischeheterostrukturbauelementebasierendaufiiivhalbleitern