Modellierung des ladungskompensierten Leistungs-MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Lagies, Arrasch Uwe (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	München Diss.-Verl. NG-Kopierladen 2001
Schlagworte:	Durchgreifeffekt Drain > Elektronik Leistungstransistor MOS-FET Dreidimensionale Integration Hochschulschrift
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