Near thermal equilibrium growth of 4H-, 6H-, and 15R-silicon carbide single crystals sublimation growth of bulk SiC by modified Lely method and the structural, electrical, and optical characterization
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | English German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2001
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
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| Schlagworte: | |
| Tags: |
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