Wide bandgap electronic devices symposium held April 24 - 27, 2000, San Francisco, California, U.S.A.

Proceedings of the Symposium on Wide Bandgap Semiconductors and Devices and the Twenty Third State of the Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXIII)
Veröffentlicht: (1995)

Diamond, SiC and nitride wide bandgap semiconductors symposium held April 4 - 8, 1994, San Francisco, California, USA
Veröffentlicht: (1994)

Properties of wide bandgap II-VI semiconductors
Veröffentlicht: (1997)

Wide gap II - VI semiconductors proceedings of the E-MRS Advanced Research Workshop, Montpellier, 16 - 18 January 1991
Veröffentlicht: (1991)

Wide bandgap semiconductor electronics and devices
Veröffentlicht: (2020)

Proceedings of the Workshop on Wide Bandgap Pipolar Devices January 24 - 28, 1999, Marriott Bay Point Resort Village, Panama City Beach, FL
Veröffentlicht: (2000)

Wide bandgap semiconductor power devices materials, physics, design and applications
von: Baliga, B. Jayant 1948-
Veröffentlicht: (2019)

Wide bandgap semiconductors for power electronics materials, devices, applications
Veröffentlicht: (2022)

Advanced defect control in wide-bandgap III-nitride semiconductors
von: Käß, Felix Walter
Veröffentlicht: (2017)

Wide band gap semiconductor nanowires

Luminescence of wideband semiconductors
Veröffentlicht: (1990)

Moduljacionnaja spektroskopija širokozonnych poluprovodnikov
Veröffentlicht: (1985)

Ljuminescencija širokozonnych poluprovodnikov
Veröffentlicht: (1987)

GaN and related alloys - 2000 symposium held November 27 - December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Veröffentlicht: (2001)

Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices a market and technology overview 1998-2003
von: Szweda, Roy
Veröffentlicht: (2000)

Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices a market and technology overview 1998-2003
von: Szweda, Roy
Veröffentlicht: (2000)

Papers presented at the E-MRS 2004 Fall Meeting Symposia C and F Warsaw, Poland, 6 - 10 September 2004
Veröffentlicht: (2005)

Charakterisierung von II-VI-Halbleiter großer Bandlücke mit Methoden der Photolumineszenz
von: S̜ahin, Hüseyin
Veröffentlicht: (1994)

Proceedings E-MRS 2003 fall meeting symposia A and C ; Warsaw, Poland, 15 - 19 September 2003
Veröffentlicht: (2004)

Piezowiderstandsmechanismen in Halbleitern mit großer Bandlücke
von: Eickhoff, Martin
Veröffentlicht: (2000)

III-nitride semiconductor materials
Veröffentlicht: (2006)

Optoelectronic devices III-nitrides
von: Razeghi, M.
Veröffentlicht: (2004)

Nitride semiconductors symposium held December 1 - 5, 1997, Boston, Massachusetts, USA
Veröffentlicht: (1998)

Electronic devices & networks
Veröffentlicht: (1963)

Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices 4H/6H-SiC
von: Lades, Martin 1965-
Veröffentlicht: (2000)

Modeling and simulation of wide bandgap semiconductor devices 4H/6H-SiC
von: Lades, Martin 1965-
Veröffentlicht: (2000)

Molekularstrahlepitaxie und Analyse von II-VI-Halbleitern mit großer Bandlücke
von: Knott, Bernhard
Veröffentlicht: (1997)

Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC-Leistungsbauelemente
von: Mottok, Jürgen ca. 20./21. Jh
Veröffentlicht: (1996)

Optoelectronic devices III-nitrides
von: Razeghi, M.
Veröffentlicht: (2004)

Electronic devices and components
von: Seymour, John
Veröffentlicht: (1981)

Reactor irradiation of chalcogenide threshold switches
von: Tiainen, O. J., et al.
Veröffentlicht: (1971)

Nitride semiconductor devices fundamentals and applications
von: Morkoç, Hadis 1947-
Veröffentlicht: (2013)

Principles of electron devices
von: Gillie, Angelo Christopher
Veröffentlicht: (1962)

... IEEE international reliability physics proceedings ... annual
Veröffentlicht: (1996)

Widegap II - VI compounds for opto-electronic applications
Veröffentlicht: (1992)

Untersuchung der elektrischen Eigenschaften breitlückiger Halbleiterschichtstrukturen für optoelektronische Anwendungen
von: Fehrer, Michael 1970-
Veröffentlicht: (1999)