Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Garching
Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München
2000
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Ausgabe: | 1. Aufl. |
Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
33 |
Schlagworte: | |
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