Herstellung und Charakterisierung von sub-mym InGaAs-InP High Electron Mobility Transistoren

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schimpf, Klaus (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1997
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Beschreibung
Beschreibung:Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1997. - Auch als: Berichte des Forschungszentrums Jülich. 3381
Beschreibung:X, 122 S. Ill., graph. Darst.