Modellexperimente im UHV zur Untersuchung naßchemischer Ätzprozesse an 3-5-Halbleitern Adsorption und Koadsorption von H 2 O und Br 2 auf GaAs(110)- und InP(110)-Oberflächen

MBE-growth and photomission investigations of GaN, InAs, and As on GaAs
von: He, Zhongqing
Veröffentlicht: (1996)

Thermomagnetische Eigenschaften des Zwei-Dimensionalen Elektronengases in GaAs-AlxGa1-minus-xAs-Heterostrukturen
von: Obloh, Harald
Veröffentlicht: (1986)

Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen
von: Böhm, Stefan 1965-
Veröffentlicht: (2002)

Veränderung der Defektanordnung von A III B V -Halbleitern durch Wechselbelastung im Ultraschallfrequenzbereich
von: Tippelt, Birgit
Veröffentlicht: (1994)

Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern
von: Schwarz, Günther
Veröffentlicht: (2002)

Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern
von: Schwarz, Günther
Veröffentlicht: (2002)

Efficiency and reliability of AlGaInP LEDs
von: Altieri-Weimar, Paola 1976-
Veröffentlicht: (2005)

Wachstum und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden Laserstrukturen im GaInAsN-Materialsystem
von: Fischer, Marc
Veröffentlicht: (2002)

Niederfrequenzrauschen in III-V-Halbleiter-Heterostruktur-Bauelementen
von: Loreck, Lutz
Veröffentlicht: (1985)

Übergangsmetalle in III-V-Halbleitern Einbau durch Flüssigphasenepitaxie, elektronische und optische Eigenschaften
von: Srocka, Bernd
Veröffentlicht: (1993)

Entwicklung neuer optischer Methoden für die Charakterisierung des Halbleiters Ga(NAsP) welche Perspektiven bieten holographische Verfahren?
von: Koukourakis, Nektarios 1980-
Veröffentlicht: (2012)

Bauelementkorrelierte Substratoptimierung in der III-V-Technologie
von: Matthes, Harald
Veröffentlicht: (1986)

Photolumineszenzuntersuchungen an III/V-Halbleiterheterostrukturen
von: Weber, Stefan
Veröffentlicht: (1996)

Untersuchung von Kristalldefekten in III - V-Halbleitern mittels elektrischer Verfahren
von: Siegel, Winfried
Veröffentlicht: (1993)

Untersuchungen zur Kristallzüchtung von III-V-Halbleitern mit Lösungszonen unter Berücksichtigung verminderter Schwerkraft
von: Benz, Klaus-Werner 1938-, et al.
Veröffentlicht: (1986)

Untersuchungen zur Kristallzüchtung von III-V-Halbleitern mit Lösungszonen unter Berücksichtigung verminderter Schwerkraft
von: Benz, Klaus-Werner 1938-, et al.
Veröffentlicht: (1986)

Präparation und Charakterisierung von Oberflächen der III/V-Nitridhalbleiter AlN und GaN und Untersuchung ihrer elektronischen Struktur
von: Wichert, Jan 1968-
Veröffentlicht: (1999)

Untersuchungen zur Oxidation von III-V-Verbindungshalbleitern
von: Bartels, Frank
Veröffentlicht: (1987)

Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy
von: Ekenstedt, Michael
Veröffentlicht: (1993)

Theorie der direkten exzitonen in III-V Verbindungen
von: Ekardt, Walter
Veröffentlicht: (1975)

Special issue on advances in indium phosphide, related materials and processing

Conference International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) [... held in Aachen, Germany, July 22 - 25, 2002]
Veröffentlicht: (2002)

Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces
Veröffentlicht: (1985)

Degradation mechanisms in III - V compound semiconductor devices and structures Symposium held April 17 - 18, 1990, San Francisco, California, USA
Veröffentlicht: (1990)

Semiconducting III-V compounds
von: Hilsum, Cyril, et al.
Veröffentlicht: (1961)

III-V compound semiconductors and devices an introduction to fundamentals
von: Cheng, Keh Yung 19XX-
Veröffentlicht: (2020)

Design and fabrication of III-V HBTs for microwave power applications
von: Koenig, Eric
Veröffentlicht: (1995)

Electrochemical study of the etching of III-V semiconductors
von: Notten, Petrus H.
Veröffentlicht: (1989)

Herstellung und Charakterisierung von Quantenkaskadenlasern
von: Wieczorek, Andreas
Veröffentlicht: (2005)

Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von Verbindungshalbleitern auf Arsenid- und Antimonidbasis
von: Ungermanns, Christoph
Veröffentlicht: (1998)

Semiconductors - group IV elements and III-V compounds
Veröffentlicht: (1991)

Gallium arsenide proceedings of the second Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8 - 11, 1986
Veröffentlicht: (1987)

Shape and Functional Elements of the Bulk Silicon Microtechnique A Manual of Wet-Etched Silicon Structures
Veröffentlicht: (2005)

Elektronische Struktur der 110-Oberflächen von III-V-Halbleitern unters. mit polarisationsabhängiger, winkelaufgelöster Photoemission hoher Auflösung
von: Aust, Hans-Ulrich
Veröffentlicht: (1985)

Transportphänomene und optische Effekte in Wellenleitermodulatoren aus III-V-Halbleitern
von: Ahland, Andreas 1971-
Veröffentlicht: (2001)

Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Ga 2 Se 3-Schichten auf III-V-Halbleitern
von: Emde, Martin von der
Veröffentlicht: (1996)