Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP InGaAs für die Integration optischer Empfänger

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Goldhorn, Andreas 1964- (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	1996
Schlagworte:	Heterobipolartransistor Substrat > Mikroelektronik Indiumphosphid MOCVD-Verfahren PIN-Diode Integrierte Optoelektronik Hochschulschrift
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