Sub-0.2 mym double sided modulation doped InAlAs InGaAs heterojunction field effect transistor with InAs layer in the channel
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
1997
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| Schlagworte: | |
| Tags: |
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