Principles and analysis of AlGaAs-GaAs heterojunction bipolar transistors

Compound and Josephson high speed devices
Veröffentlicht: (1993)

Self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots
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Properties of gallium arsenide
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Gallium arsenide and related compounds 1988 proceedings of the Fifteenth International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds held in Atlanta, Georgia, 11 - 14 September 1988
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Compound semiconductors 1998 proceedings of the twenty-fifth International Symposium on Compound Semiconductors held in Nara, Japan, 12 - 16 October 1998
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Gallium arsenide electronic materials and devices a market and technology overview, 1999-2004
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Proceedings of the 11th Molecular-Beam Epitaxy Workshop 16 -18 September 1991, University of Texas at Austin, Texas
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Heterojunction band discontinuities physics and device applications
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Applications of GaAs MESFETs
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Special issue on group III-N semiconductor electronics
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GaAs FET principles and technology
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Very high speed integrated circuits gallium arsenide LSI
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Gallium arsenide IC applications handbook, Volume 1
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Lasers, junctions, transport
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Heterojunctions and metal-semiconductor junctions
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The bipolar junction transistor
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GaN-based materials and devices growth, fabrication, characterization and performance
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Gallium arsenide and related compounds 1991 proceedings of the Eighteenth International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, Seattle, Washington, USA, 9 - 12 September 1991
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Untersuchung der Photolumineszenz von GaAs/AlGaAs-Heteroschichtfolgen für Heterobipolartransistoren
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Elektrische Charakterisierung von GaAs-Schichten
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Microwave MESFETs and HEMTs
Veröffentlicht: (1991)

Microwave MESFETs and HEMTs
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GaAs microelectronics
Veröffentlicht: (1985)

Physical properties of III - V semiconductor compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP
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A high-speed DES implementation for network applications
von: Eberle, Hans
Veröffentlicht: (1992)

Diffusion in GaAs and other III-V semiconductors 10 years of research
Veröffentlicht: (1998)

Silicon front-end junction formation technologies
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Microwave field-effect transistors theory, design, and applications
von: Pengelly, Raymond S.
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Semiconducting and insulating materials 1996 proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC '9), April 29 / May 3, 1996, Toulouse, France
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GaAs-GaAlAs heterojunction bipolar transistors and related integrated circuits
von: Su, Li Man
Veröffentlicht: (1984)

Physics of DX centers in GaAs alloys
Veröffentlicht: (1990)

DX centers - donors in AlGaAs and related compounds
Veröffentlicht: (1994)

GaAs technology and its impact on circuits and systems
Veröffentlicht: (1989)

Microprocessor design for GaAs technology
Veröffentlicht: (1990)

GaAs detectors and electronics for high-energy physics proceedings of the 20th Workshop of the INFN Eloisatron Project, Erice, Trapani, Italy, 12-18 January 1992
Veröffentlicht: (1992)

Development and application of semiconductor tracking detectors proceedings of the second International Symposium on Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors, Hiroshima STD Symposium ; Hiroshima, Japan, October 10 - 13, 1995
Veröffentlicht: (1996)