Molekularstrahlepitaktische Herstellung sowie photoelektronenspektroskopische Untersuchung der elektronischen Struktur ternärer III/As- und dotierter GaAs(001)-Halbleiteroberflächen

Semi-insulating III-V materials, Toronto 1990 proceedings of the 6th Conference on Semi-insulating III-V Materials held in Toronto, Canada, 13 - 16 May 1990
Veröffentlicht: (1990)

Photoemissionsuntersuchungen der elektronischen Struktur von mit Molekularstrahlepitaxie und durch Ionenbeschuss und Tempern präparierten III/V-Halbleiteroberflächen
von: Olde, Jens
Veröffentlicht: (1991)

III - V microelectronics
Veröffentlicht: (1991)

PAR-CVD Entwicklung leistungsfähiger paralleler Berechnungsverfahren zur Untersuchung und Optimierung von CVD-Prozessen
Veröffentlicht: (1999)

Feinstruktur und Temperaturabhängigkeit äußerer Rumpfexzitonen in K-Halogeniden und III/V-Halbleitern
von: Sprüssel, Gérard
Veröffentlicht: (1980)

Rare earth Doped III-Nitrides for optoelectronic and spintronic applications
Veröffentlicht: (2009)

Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren
von: Dilger, Markus
Veröffentlicht: (1996)

Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung
von: Stein, René A.
Veröffentlicht: (1986)

III-V semiconductor materials and devices
Veröffentlicht: (1989)

Geordnetes InGaAsP grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen
von: Krämer, Stefan 1975-
Veröffentlicht: (2005)

Advances in materials, processing and devices in III-V compound semiconductors symposium held November 28 - December 2, 1988, Boston, Massachusetts, USA
Veröffentlicht: (1989)

Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices symposium held December 2 - 5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Veröffentlicht: (1992)

Messung tiefer Elektronenhaftstellen in molekularstrahlepitaktischen GaAs-Schichten
von: Weimann, Günter, et al.
Veröffentlicht: (1979)

Herstellung und Charakterisierung von GaInAsSb-AlGaAsSb-Laserdioden mit Emissionswellenlängen von 2.0 Mym bis 2.5 Mym
von: Bleuel, Thomas 1971-
Veröffentlicht: (2001)

Selektiv einfüllendes Wachstum mittels LP-MOVPE im System Ga-In-As-P
von: Westphalen, Ralf
Veröffentlicht: (1992)

InGaAsP-InP-Halbleiterlaser mit tiefgeätzten Bragg-Spiegeln zur Miniaturisierung und Frequenzselektion
von: Hofmann, Jürgen
Veröffentlicht: (2002)

The MOCVD challenge a survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications
von: Razeghi, Manijeh
Veröffentlicht: (2011)

Properties of semiconductor alloys group-IV, III-V and II-VI semiconductors
von: Adachi, Sadao
Veröffentlicht: (2009)

UV-stimuliertes Wachstum von III-V-Halbleiterschichten im Niedrigdruck-MOCVD-System
von: Grundmann, Dirk
Veröffentlicht: (1989)

Programm Symposium Herstellung und Charakterisierung von Massiven III-V-Halbleiterkristallen u. 17. Jahrestagung der Dt. Gesellschaft für Kristallwachstum (DGKK) in Erlangen vom 17. - 20. März 1986
Veröffentlicht: (1986)

Papers presented at the 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICN-6), Bremen, Germany, 28 August - 2 September 2005
Veröffentlicht: (2006)

Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces
Veröffentlicht: (1985)

Papers presented at the E-MRS 2007 Spring Meeting-Symposium F Novel Gain Materials and Devices Based on III-N-V Compounds Strasbourg, France, 28 May - 1 June 2007
Veröffentlicht: (2008)

Doping in III-V semiconductors
von: Schubert, E. Fred
Veröffentlicht: (1993)

Theorie der direkten Exzitonen in III-V Verbindungen
von: Ekardt, Walter
Veröffentlicht: (1975)

Theorie der Photoemission an Oberflächen von III-V Halbleitern
von: Slamka, Carolin
Veröffentlicht: (1994)

Optoelektronik in AIII BV-Halbleitern Eine Sammlung v. Beitr. zu Grundfragen bei d. Herstellung moderner optoelektronischer Bauelemente. Im Auftr. d. Karl-Marx-Univ. hrsg. von...
Veröffentlicht: (1971)

Lösungszonenzüchtung von III-V-Halbleitermaterialien
von: Nagel, Gerhard
Veröffentlicht: (1985)

III-V ternary semiconducting compounds data tables
von: Neuberger, M.
Veröffentlicht: (1972)

P-Dotierung und Charakterisierung von MOVPE-Schichten im System (Ga,In) (P,As) für Laserstrukturen
von: Brandt, Oliver
Veröffentlicht: (1989)

Untersuchung der atomaren Struktur der Oberflächen und Grenzflächen von III-V-Verbindungs-Halbleitern
von: Behrend, Jörg
Veröffentlicht: (1995)

Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si
von: Heidemann, Matthias ca. 21. Jh
Veröffentlicht: (2017)

Untersuchung der atomaren Struktur der Oberflächen und Grenzflächen von III-V-Verbindungs-Halbleitern
von: Behrend, Jörg
Veröffentlicht: (1996)

Reliability and degradation of III - V optical devices
von: Ueda, Osamu
Veröffentlicht: (1996)

Optical properties of III - V semiconductors the influence of multi-valley band structures
von: Kalt, Heinz
Veröffentlicht: (1996)

2nd Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds [4th - 6th October 1999, Erlangen]
Veröffentlicht: (1999)