Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs/InGaAs/InP-HEMT-Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Bergamaschi, Crispino Enrico (VerfasserIn)
Format:	Mikrofilm Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	1994
Ausgabe:	[Mikrofiche-Ausg.]
Schlagworte:	Indiumarsenid - Aluminiumarsenid - Galliumarsenid - Indiumphosphid - HEMT HEMT Mikrowellentransistor Hochschulschrift
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