GaAs- und GaAs-AlxGa1-xAs-Mehrschichtstrukturen mit speziellen Dotierungsprofilen für Bauelemente der Signal- und Optoelektronik = GaAs and GaAs AlxGa1-xAs multilayer structures with special doping profiles for microwave and optoelectronic devices

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Bibliographische Detailangaben
Format:	Buch
Sprache:	Undetermined
Veröffentlicht:	Bonn Bundesmin. für Forschung u. Technologie 1984
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schlagworte:	Aluminiumarsenid Galliumarsenid Optoelektronik Epitaxie Halbleitertechnologie Heterostruktur Mehrschichtsystem
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