Indirekte Mischkristallhalbleiter für LED auf GaP-Basis nach einheitlichem Gasphasenepitaxieverfahren
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Kernforschungszentrum
1980
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| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik>. Bundesmin. für Forschung und Technologie: Forschungsbericht. Technologische Forschung und Entwicklung.
1980,19=Elektronik. |
| Schlagworte: | |
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