Ultraschalldämpfung in Bor-dotiertem Silizium

Bor in Silizium-Germanium-Mischkristallen experimentelle und theoretische Untersuchungen
von: Hattendorf, Jens
Veröffentlicht: (2001)

Impurity Doping Processes in silicon
Veröffentlicht: (1981)

Impurity Doping Processes in silicon
Veröffentlicht: (1981)

Eighth International Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids June 3 - 6, 1985, University of Illinois, Urbana (USA)
Veröffentlicht: (1985)

Fifth European Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids 26 - 30 July 1987, Antwerpen (Belgium)
Veröffentlicht: (1988)

Impurity doping processes in silicon
von: Willoughby, A. F., et al.
Veröffentlicht: (1981)

Protonendotierung von Silizium Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
von: Laven, Johannes G.
Veröffentlicht: (2014)

Untersuchung zum Mechanismus der Rekristallisation in reinem und bordotiertem Ni 3 Al
von: Escher, Christine 1967-
Veröffentlicht: (1997)

Gegenseitige Beeinflussung von Dotierung und Oxidation bei hochdotiertem Silizium
von: Biermann, Erich
Veröffentlicht: (1990)

Untersuchung elektrischer Eigenschaften mehrwandiger Kohlenstoffnanoröhrchen
von: Blumentritt, Steffi
Veröffentlicht: (1999)

Titan- und vanadiuminduzierte Gitter beim Bor
von: Polborn, Kurt
Veröffentlicht: (1975)

Titan- und vanadiuminduzierte Gitter beim Bor
von: Polborn, Kurt
Veröffentlicht: (1975)

Transport- und Rekombinationseigenschaften von Gallium-dotiertem Silizium in Abhängigkeit vom Kompensationsgrad
von: Lehmann, Hubertus
Veröffentlicht: (1986)

Characterisation and modeling of highly doped regions in silicon solar cells (met een samenvatting in het Nederlands)
von: Bisschop, Freerk J.
Veröffentlicht: (1992)

Ultraspurenanalytik von Bor und Silicium in hochreinen Säuren
von: Huckels, Kai
Veröffentlicht: (1994)

Beitrag zur Beschreibung des Dämpfungsverhaltens bei Stahlbetonbalken
von: Büttner, Alfred
Veröffentlicht: (1992)

Plasmaunterstützte Niedertemperaturprozesse für die Siliziumtechnologie Prozessentwicklung und Defekt-Engineering
von: Job, Reinhart 1958-
Veröffentlicht: (2002)

Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen
von: Loo, Rogér
Veröffentlicht: (1996)

Heteroepitaxial boron-doped diamond from synthesis to application
von: Sartori, André F.
Veröffentlicht: (2016)

Züchtung und Charakterisierung von versetzungsarmen Silizium-dotierten GaAs-Substratkristallen
von: Birkmann, Bernhard 1971-
Veröffentlicht: (2002)

Synthese und Charakterisierung modifizierter Kohlenstoff-Nanoröhrchen
von: Redlich, Philipp Carl
Veröffentlicht: (1997)

Silizium-Germanium-Heterostrukturbauelemente für die Nanoelektronik
von: Rupp, Thomas
Veröffentlicht: (1996)

Darstellung von Bor-Modifikationen sowie Bor-Niob- und Bor-Tantal-Phasen durch Elektronenstrahlverdampfen und -schmelzen im Ultrahochvakuum
von: Schrempf, Alfred
Veröffentlicht: (1978)

Halbleitereigenschaften von Bor
von: Hagenlocher, Arno Kurt
Veröffentlicht: (1958)

Transientenspektroskopie an wasserstoff- und kohlenstoffdotiertem Silizium
von: Endrös, Arthur
Veröffentlicht: (1989)

Transientenspektroskopie an wasserstoff- und kohlenstoffdotiertem Silizium
von: Endrös, Arthur
Veröffentlicht: (1990)

Über das ultraviolette Linienspectrum des elementaren Bor
von: Eder, Josef Maria 1855-1944, et al.
Veröffentlicht: (1893)

Beschreibung der dualen Diffusion von Dotieratomen im Silicium für die Anwendung in der Prozeßsimulation
von: Dürr, Rainer
Veröffentlicht: (1991)

Substitutionsreaktionen an Bor-Schwefel-Heterocyclen
von: Taeger, Tilman
Veröffentlicht: (1977)

Verhalten des Bors in Berliner-Seesedimenten unter Berücksichtigung der Eutrophierung
von: Muljadi, Sugiarto
Veröffentlicht: (1978)

Recent advances in boron chemistry
Veröffentlicht: (2009)

Bor in Gesteinen, Mineralen und Verwitterungsprodukten des Bayerischen Waldes Entwicklung u. Anwendung e. spurenanalyt. Methode
von: Sauerer, Alfred Franz
Veröffentlicht: (1986)

Hydrides of boron and silicon
von: Stock, Alfred 1876-1946
Veröffentlicht: (1933)

Boron chemistry

Konfigurationsstörungen des ssp-P-Grundzustandes von Bor Atomstrahlresonanz-Untersuchungen d. magnet. Hyperfein-Dipol-Wechselwirkung im 2P-Grundzustandsmultiplett von 11B
von: Degener, Lothar
Veröffentlicht: (1973)

Calculations on the hyperfine parameters of bond-centered impurities in silicon und diamond using high-level ab initio techniques
von: Paschedag, Norbert
Veröffentlicht: (1996)