Molecular beam epitaxy of III-V compounds a comprehensive bibliogr. 1958 - 1983

Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen
von: Böhm, Stefan 1965-
Veröffentlicht: (2002)

Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter
von: Grimm, Andreas
Veröffentlicht: (2017)

Das Materialsystem GaInNAs für langwellige Emission im 1.3 bis 1.5 Mikrometer-Bereich auf GaAs-Substrat Epitaxie und Charakterisierung von kantenemittierenden Laserdioden
von: Gollub, Dirk
Veröffentlicht: (2005)

Proceedings of the Symposium on III-V Opto-Electronics Epitaxy and Device Related Processes
Veröffentlicht: (1983)

Kristallzucht von III-V-Verbindungshalbleitern unter O-g-Bedingungen
von: Benz, Klaus-Werner 1938-, et al.
Veröffentlicht: (1976)

Feinstruktur und Temperaturabhängigkeit äußerer Rumpfexzitonen in K-Halogeniden und III/V-Halbleitern
von: Sprüssel, Gérard
Veröffentlicht: (1980)

Rare earth Doped III-Nitrides for optoelectronic and spintronic applications
Veröffentlicht: (2009)

Dilute nitride semiconductors
von: Henini, Mohamed
Veröffentlicht: (2005)

Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices symposium held December 2 - 5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Veröffentlicht: (1992)

Epitaxy of nanostructures
von: Ščukin, Vitalij A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Advances in materials, processing and devices in III-V compound semiconductors symposium held November 28 - December 2, 1988, Boston, Massachusetts, USA
Veröffentlicht: (1989)

Epitaxy of semiconductors introduction to physical principles
von: Pohl, Udo W. 19XX-
Veröffentlicht: (2013)

The MOCVD challenge a survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications
von: Razeghi, Manijeh
Veröffentlicht: (2011)

III - V microelectronics
Veröffentlicht: (1991)

Molecular beam epitaxy ... proceedings of the ... International Conference on Molecular Beam Epitaxy

Molekularstrahlepitaktische Herstellung sowie photoelektronenspektroskopische Untersuchung der elektronischen Struktur ternärer III/As- und dotierter GaAs(001)-Halbleiteroberflächen
von: Schnurpfeil, Roland
Veröffentlicht: (1995)

III-V ternary semiconducting compounds data tables
von: Neuberger, M.
Veröffentlicht: (1972)

Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces
Veröffentlicht: (1985)

Molecular beam epitaxy fundamentals and current status
von: Herman, Marian A. 1936-2015, et al.
Veröffentlicht: (1989)

Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren
von: Dilger, Markus
Veröffentlicht: (1996)

2nd Symposium on Non-Stoichiometric III-V Compounds [4th - 6th October 1999, Erlangen]
Veröffentlicht: (1999)

Molecular beam epitaxy 1992 proceedings of the seventh International Conference on Molecular Beam Epitaxy Schwäbisch Gmünd, Germany, 24 - 28 August 1992
Veröffentlicht: (1993)

Papers presented at the E-MRS 2007 Spring Meeting-Symposium F Novel Gain Materials and Devices Based on III-N-V Compounds Strasbourg, France, 28 May - 1 June 2007
Veröffentlicht: (2008)

Molecular beam epitaxy 1994 proceedings of the eighth International Conference on Molecular Beam Epitaxy Toyanaka, Osaka, Japan, 29 August - 2 September 1994 ; MBE VIII

Symposium molecular beam epitaxy March 23 - 27, 1987, Frankfurt/Oder, GDR ; abstracts
Veröffentlicht: (1987)

Molecular beam epitaxy proceedings of the Third International Symposium held in Velico Tarnovo, Bulgaria, October 2 - 7, 1989
Veröffentlicht: (1991)

Untersuchung der elektronischen Bandstruktur von Halbleitern mittels Photoemission
von: Middelmann, Heinz-Udo
Veröffentlicht: (1987)

Halbleiter-Technologie eine Einführung in die Prozeßtechnik von Silizium und III-V-Verbindungen ; mit 30 Tabellen und einer mehrfarbigen Tafel des Periodensystems der Elemente
von: Beneking, Heinz 1924-1996
Veröffentlicht: (1991)

Proceedings of the ... Molecular-Beam Epitaxy Workshop

Photoemissionsuntersuchungen der elektronischen Struktur von mit Molekularstrahlepitaxie und durch Ionenbeschuss und Tempern präparierten III/V-Halbleiteroberflächen
von: Olde, Jens
Veröffentlicht: (1991)

Selektiv einfüllendes Wachstum mittels LP-MOVPE im System Ga-In-As-P
von: Westphalen, Ralf
Veröffentlicht: (1992)

Herstellung und Charakterisierung von GaInAsSb-AlGaAsSb-Laserdioden mit Emissionswellenlängen von 2.0 Mym bis 2.5 Mym
von: Bleuel, Thomas 1971-
Veröffentlicht: (2001)

Optoelektronik in AIII BV-Halbleitern Eine Sammlung v. Beitr. zu Grundfragen bei d. Herstellung moderner optoelektronischer Bauelemente. Im Auftr. d. Karl-Marx-Univ. hrsg. von...
Veröffentlicht: (1971)

Programm Symposium Herstellung und Charakterisierung von Massiven III-V-Halbleiterkristallen u. 17. Jahrestagung der Dt. Gesellschaft für Kristallwachstum (DGKK) in Erlangen vom 17. - 20. März 1986
Veröffentlicht: (1986)

Lösungszonenzüchtung von III-V-Halbleitermaterialien
von: Nagel, Gerhard
Veröffentlicht: (1985)

Papers presented at the 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICN-6), Bremen, Germany, 28 August - 2 September 2005
Veröffentlicht: (2006)