Darstellung und Kristallstrukturen der Verbindungen CaPtGa, CaPtIn und CaPd0,4Ga1,6

Strukturuntersuchungen an den durch Erhitzen von Elementgemengen unter Argon hergestellten intermetallischen Verbindungen CaPtGa und CaPtIn zeigen, daß diese dem TiNiSi‐Typ mit verzerrter Tetraederkoordination um die Pt‐Atome entsprechen. Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten fü...

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Veröffentlicht in:Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950) 1994-07, Vol.620 (7), p.1151-1156
Hauptverfasser: Dascoulidou‐Gritner, K., Schuster, H.‐U.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Schuster, H.‐U.
description Strukturuntersuchungen an den durch Erhitzen von Elementgemengen unter Argon hergestellten intermetallischen Verbindungen CaPtGa und CaPtIn zeigen, daß diese dem TiNiSi‐Typ mit verzerrter Tetraederkoordination um die Pt‐Atome entsprechen. Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten für CaPtGa a = 7,184(1) Å, b = 4,429(1) Å, c = 7,595(1) Å und Z = 4 sowie für CaPtIn mit a = 7,280(1) Å, b = 4,372(1) Å, c = 8,356(1) Å und Z = 4 vor. Die Verbindung CaPd0,4Ga1,6 kristallisiert im CeCu2‐Typ, bei der die Cu‐Punktlagen statistisch von Ga‐ und Pd‐Atomen besetzt sind. Die Strukturrechnung erfolgte in Imma (Nr. 72) mit a = 4,462(1) Å, b = 7,231(1) Å, c = 7,745(1) Å und Z = 4. Preparation and Crystal Structures of the Compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 The new compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 were prepared by heating appropriate mixtures of the elements under an Ar‐atmosphere. The results of the structural analysis of single crystals by means of X‐ray diffraction are given in the section „Inhaltsübersicht”︁. CaPtGa and CaPtIn are isotypic and form the TiNiSi type structure (Pnma), where the Pt‐atoms have a distorted tetrahedral environment consisting of Ga‐ resp. In‐atoms. CaPd0.4Ga1.6 crystallizes in the CeCu2‐type structure (Imma), the Cu positions being statistically occupied by Pd‐ and Ga‐atoms.
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Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten für CaPtGa a = 7,184(1) Å, b = 4,429(1) Å, c = 7,595(1) Å und Z = 4 sowie für CaPtIn mit a = 7,280(1) Å, b = 4,372(1) Å, c = 8,356(1) Å und Z = 4 vor. Die Verbindung CaPd0,4Ga1,6 kristallisiert im CeCu2‐Typ, bei der die Cu‐Punktlagen statistisch von Ga‐ und Pd‐Atomen besetzt sind. Die Strukturrechnung erfolgte in Imma (Nr. 72) mit a = 4,462(1) Å, b = 7,231(1) Å, c = 7,745(1) Å und Z = 4. Preparation and Crystal Structures of the Compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 The new compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 were prepared by heating appropriate mixtures of the elements under an Ar‐atmosphere. The results of the structural analysis of single crystals by means of X‐ray diffraction are given in the section „Inhaltsübersicht”︁. CaPtGa and CaPtIn are isotypic and form the TiNiSi type structure (Pnma), where the Pt‐atoms have a distorted tetrahedral environment consisting of Ga‐ resp. In‐atoms. CaPd0.4Ga1.6 crystallizes in the CeCu2‐type structure (Imma), the Cu positions being statistically occupied by Pd‐ and Ga‐atoms.</description><identifier>ISSN: 0044-2313</identifier><identifier>EISSN: 1521-3749</identifier><identifier>DOI: 10.1002/zaac.19946200704</identifier><language>eng</language><publisher>Weinheim: WILEY‐VCH Verlag</publisher><subject>Crystal Structures ; Palladium ; Platinium ; Ternary Intermetallic Compounds</subject><ispartof>Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950), 1994-07, Vol.620 (7), p.1151-1156</ispartof><rights>Copyright © 1994 Verlag GmbH &amp; Co. 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Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten für CaPtGa a = 7,184(1) Å, b = 4,429(1) Å, c = 7,595(1) Å und Z = 4 sowie für CaPtIn mit a = 7,280(1) Å, b = 4,372(1) Å, c = 8,356(1) Å und Z = 4 vor. Die Verbindung CaPd0,4Ga1,6 kristallisiert im CeCu2‐Typ, bei der die Cu‐Punktlagen statistisch von Ga‐ und Pd‐Atomen besetzt sind. Die Strukturrechnung erfolgte in Imma (Nr. 72) mit a = 4,462(1) Å, b = 7,231(1) Å, c = 7,745(1) Å und Z = 4. Preparation and Crystal Structures of the Compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 The new compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 were prepared by heating appropriate mixtures of the elements under an Ar‐atmosphere. The results of the structural analysis of single crystals by means of X‐ray diffraction are given in the section „Inhaltsübersicht”︁. CaPtGa and CaPtIn are isotypic and form the TiNiSi type structure (Pnma), where the Pt‐atoms have a distorted tetrahedral environment consisting of Ga‐ resp. In‐atoms. 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Es liegt Raumgruppe Pnma (Nr. 62) mit den Gitterkonstanten für CaPtGa a = 7,184(1) Å, b = 4,429(1) Å, c = 7,595(1) Å und Z = 4 sowie für CaPtIn mit a = 7,280(1) Å, b = 4,372(1) Å, c = 8,356(1) Å und Z = 4 vor. Die Verbindung CaPd0,4Ga1,6 kristallisiert im CeCu2‐Typ, bei der die Cu‐Punktlagen statistisch von Ga‐ und Pd‐Atomen besetzt sind. Die Strukturrechnung erfolgte in Imma (Nr. 72) mit a = 4,462(1) Å, b = 7,231(1) Å, c = 7,745(1) Å und Z = 4. Preparation and Crystal Structures of the Compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 The new compounds CaPtGa, CaPtIn and CaPd0.4Ga1.6 were prepared by heating appropriate mixtures of the elements under an Ar‐atmosphere. The results of the structural analysis of single crystals by means of X‐ray diffraction are given in the section „Inhaltsübersicht”︁. CaPtGa and CaPtIn are isotypic and form the TiNiSi type structure (Pnma), where the Pt‐atoms have a distorted tetrahedral environment consisting of Ga‐ resp. In‐atoms. CaPd0.4Ga1.6 crystallizes in the CeCu2‐type structure (Imma), the Cu positions being statistically occupied by Pd‐ and Ga‐atoms.</abstract><cop>Weinheim</cop><pub>WILEY‐VCH Verlag</pub><doi>10.1002/zaac.19946200704</doi><tpages>6</tpages></addata></record>
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