XRD, AFM and IR investigations of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGa1-xAs/GaAs (100) heterostructures

The lattice constant of AlxGa1−xAs epitaxial alloys with various Al‐As(x) content is determined for AlxGa1−xAs/GaAs (100) heterostructures grown by MOVPE epitaxy using X‐ray diffractometry and X‐ray back‐reflections method. An ordered AlGaAs2 (superstructural) phase was found in epitaxial heterostru...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Surface and interface analysis 2006-04, Vol.38 (4), p.828-832
Hauptverfasser:	Domashevskaya, E. P., Seredin, P. V., Lukin, A. N., Bityutskaya, L. A., Grechkina, M. V., Arsentyev, I. N., Vinokurov, D. A., Tarasov, I. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	atomic-force microscopy heterostructures infrared spectroscopy ordered phase superstructure X-ray diffraction
Online-Zugang:	Volltext
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