On Some Properties of TlInS2 (Se2, Te2) Single Crystals

The results of studies on the structure and physical properties of grown TlInS2 (Se2, Te2) single crystals are presented. Based on an X‐ray investigation the parameters of the tetragonal cells of these crystals have been determined. The electric conductivity and the Hall effect for the TlInS2(Se2, T...

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Veröffentlicht in:physica status solidi (b) 1969, Vol.34 (1), p.33-44
Hauptverfasser: Guseinov, G. D., Mooser, E., Kerimova, E. M., Gamidov, R. S., Alekseev, I. V., Ismailov, M. Z.
Format: Artikel
Sprache:eng
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description The results of studies on the structure and physical properties of grown TlInS2 (Se2, Te2) single crystals are presented. Based on an X‐ray investigation the parameters of the tetragonal cells of these crystals have been determined. The electric conductivity and the Hall effect for the TlInS2(Se2, Te2) crystals have been measured over a wide temperature range. It has been revealed that in the purest crystals of the above compounds the mobility obeys the usual T−3/2 law. Some data on the photoelectric and optical properties of these materials are also reported. These crystals are shown to be photoconductors in the infrared and visible regions of the spectrum. The photoconductivity maxima for the TlInS2, TlInSe2, and TlInTe2 crystals correspond to the wavelengths of 0.525, 0.87, and 1.36 μm, respectively. In photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated. Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der Struktur und der physikalischen Eigenschaften von gezüchteten TlInS2(Se2, Te2)‐Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Röntgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall‐Effekt wurden für TlInS2 (Se2, Te2)‐Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, daß in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das übliche T−3/2‐Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. Es zeigt sich, daß diese Kristalle im sichtbaren und infraroten Spektralbereich Photoleiter sind. Die Photoleitfähigkeitsmaxima für TlInS2, TlInSe2 und TlInTe2 liegen bei 0,525, 0,87 und 1,36 μm. In der Photoleitung sind die entsprechenden Werte für die Breite der verbotenen Zone 2,3, 1,07 bzw. 0,68 eV. Aus den experimentellen Werten wurden die hauptsächlichen charakteristischen Parameter der Kristalle berechnet.
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The photoconductivity maxima for the TlInS2, TlInSe2, and TlInTe2 crystals correspond to the wavelengths of 0.525, 0.87, and 1.36 μm, respectively. In photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated. Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der Struktur und der physikalischen Eigenschaften von gezüchteten TlInS2(Se2, Te2)‐Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Röntgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall‐Effekt wurden für TlInS2 (Se2, Te2)‐Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, daß in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das übliche T−3/2‐Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. Es zeigt sich, daß diese Kristalle im sichtbaren und infraroten Spektralbereich Photoleiter sind. Die Photoleitfähigkeitsmaxima für TlInS2, TlInSe2 und TlInTe2 liegen bei 0,525, 0,87 und 1,36 μm. In der Photoleitung sind die entsprechenden Werte für die Breite der verbotenen Zone 2,3, 1,07 bzw. 0,68 eV. Aus den experimentellen Werten wurden die hauptsächlichen charakteristischen Parameter der Kristalle berechnet.</description><identifier>ISSN: 0370-1972</identifier><identifier>EISSN: 1521-3951</identifier><identifier>DOI: 10.1002/pssb.19690340103</identifier><language>eng</language><publisher>Berlin: WILEY-VCH Verlag</publisher><ispartof>physica status solidi (b), 1969, Vol.34 (1), p.33-44</ispartof><rights>Copyright © 1969 WILEY‐VCH Verlag GmbH &amp; Co. 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In photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated. Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der Struktur und der physikalischen Eigenschaften von gezüchteten TlInS2(Se2, Te2)‐Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Röntgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall‐Effekt wurden für TlInS2 (Se2, Te2)‐Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, daß in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das übliche T−3/2‐Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. Es zeigt sich, daß diese Kristalle im sichtbaren und infraroten Spektralbereich Photoleiter sind. Die Photoleitfähigkeitsmaxima für TlInS2, TlInSe2 und TlInTe2 liegen bei 0,525, 0,87 und 1,36 μm. In der Photoleitung sind die entsprechenden Werte für die Breite der verbotenen Zone 2,3, 1,07 bzw. 0,68 eV. Aus den experimentellen Werten wurden die hauptsächlichen charakteristischen Parameter der Kristalle berechnet.</description><issn>0370-1972</issn><issn>1521-3951</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>1969</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNpNj0tLAzEUhYMoWKt7l1kqOPXe3CbpLFzYQWuxL8iIy5A6iYxOH0wKtf_eKRXp6nAW3-F8jF0jdBBA3K9jnHcwVSlQFxDohLVQCkwolXjKWkAaEky1OGcXMX4BgEbCFtPTJTerheezerX29ab0ka8Cz6vh0gh-Y7y447kXt9yUy8_K86zexY2r4iU7C034q79ss7fnpzx7SUbTwTB7HCUlIVHSU72CwKsCkERzzn1I6Z0rVKCgXTeEbk-mqjmsyAWay1CEoAG9FJJ06gtqs4fD7ras_M6u63Lh6p1FsHtru7e2R9Z2Zkz_qDd8cuDLuPE__7yrv63SpKV9nwysHr_mNOkbO6ZfCNRbWA</recordid><startdate>1969</startdate><enddate>1969</enddate><creator>Guseinov, G. 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The photoconductivity maxima for the TlInS2, TlInSe2, and TlInTe2 crystals correspond to the wavelengths of 0.525, 0.87, and 1.36 μm, respectively. In photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated. Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der Struktur und der physikalischen Eigenschaften von gezüchteten TlInS2(Se2, Te2)‐Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Röntgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall‐Effekt wurden für TlInS2 (Se2, Te2)‐Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, daß in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das übliche T−3/2‐Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. 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