Preparation and characterization of Ta2O5/Ta/Si Schottky photodiode structures

Low ion energy (200 eV Ar+) rf magnetron sputter etching of the Si substrate and Ta sputter deposition are applied for the preparation of Ta/Si Schottky photodiode structures. An appropriate thermal annealing at 430°C for 30 min in dry air is used for the partial oxidization of the Ta layer. The Ta2...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1994-06, Vol.143 (2), p.463-470
Hauptverfasser:	Varblianska, K., Tzenev, K., Marinova, Ts, Krastev, V., Gladkov, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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