Peculiarities of Minority Carrier Lifetime Variations in p-n-p-n Structures Fabricated upon Neutron-Transmutation Doped Silicon and Irradiated by Fast Electrons

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1986-11, Vol.98 (1), p.K39-K42
Hauptverfasser:	Korshunov, F. P., Marchenko, I. G., Troshchinskii, V. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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