Ein Mehrskalenansatz zur numerischen Simulation und Analyse der metallorganischen Gasphasenepitaxie

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ist ein wichtiger Verarbeitungsschritt in der Halbleiterprozesstechnik zur Herstellung von III‐V‐Verbindungshalbleitern, auf deren Grundlage moderne elektronische und optoelektronische Bauelemente hergestellt werden. Daher besteht ein großer Bedarf hins...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Chemie ingenieur technik 2006-06, Vol.78 (6), p.679-688
Hauptverfasser:	Brenner, G., Mukinovic, M., Mesic, E., Schmid, R., Tafipolsky, M., Khanderi, J., Fischer, R. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gasphasenreaktionen Halbleiter Prekursoren Simulation
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creator	Brenner, G. Mukinovic, M. Mesic, E. Schmid, R. Tafipolsky, M. Khanderi, J. Fischer, R. A.
description	Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) ist ein wichtiger Verarbeitungsschritt in der Halbleiterprozesstechnik zur Herstellung von III‐V‐Verbindungshalbleitern, auf deren Grundlage moderne elektronische und optoelektronische Bauelemente hergestellt werden. Daher besteht ein großer Bedarf hinsichtlich der Optimierung bestehender Verfahren bzw. der Untersuchung des Potenzials von neuen Prozessen, beispielsweise durch den Einsatz von alternativen Prekursoren. Ziel ist es dabei, eine Verbesserung der Qualität der abgeschiedenen kristallinen Schichten zu erhalten. Hierbei spielt in mehrfacher Hinsicht die numerische Simulation eine zunehmende Rolle. Zum einen lassen sich auf diesem Wege wichtige Prozessparameter vorab berechnen, vorausgesetzt die dem Prozess zugrunde liegenden physikalischen und chemischen Vorgänge lassen sich hinreichend genau quantifizieren. Zum anderen bietet die numerische Simulation Ansätze, die zu einem tieferen Verständnis dieser physikalischen und chemischen Vorgänge führen können.
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Zum einen lassen sich auf diesem Wege wichtige Prozessparameter vorab berechnen, vorausgesetzt die dem Prozess zugrunde liegenden physikalischen und chemischen Vorgänge lassen sich hinreichend genau quantifizieren. Zum anderen bietet die numerische Simulation Ansätze, die zu einem tieferen Verständnis dieser physikalischen und chemischen Vorgänge führen können.</description><identifier>ISSN: 0009-286X</identifier><identifier>EISSN: 1522-2640</identifier><identifier>DOI: 10.1002/cite.200500166</identifier><language>eng</language><publisher>Weinheim: WILEY‐VCH Verlag</publisher><subject>Gasphasenreaktionen ; Halbleiter ; Prekursoren ; Simulation</subject><ispartof>Chemie ingenieur technik, 2006-06, Vol.78 (6), p.679-688</ispartof><rights>Copyright © 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. 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