Absolute Negative Resistance in Ballistic Variable Threshold Field Effect Transistor

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Luryi, Serge, Xu, Jimmy, Zaslavsky, Alex
Format:	Buchkapitel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ballistic variable threshold effect transistor Bernaulli's law electron concentration gate‐to‐channel capacitance negative resistance
Online-Zugang:	Volltext
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