Electronic, Vibrational, Elastic, and Piezoelectric Properties of H‐, F‐Functionalized AlN Sheets
Hexagonal monolayer AlN (h‐mAlN) is an indirect wide‐gap semiconductor and is attractive for use in optoelectronic devices. Herein, first‐principles calculations are performed to study the electronic, vibrational, elastic, and piezoelectric properties of H and F‐functionalized AlN sheets. The result...
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Veröffentlicht in: | PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 2021-10, Vol.258 (10), p.n/a, Article 2100216 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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