Growth and interface of amorphous La2Hf2O7/Si thin film

Amorphous La2Hf2O7 thin films were deposited on Si(100) substrate by pulsed laser deposition (PLD) method under different con-ditions. The interfacial states of the La2Hf2O7/Si films were studied by synchrotron X-ray reflectivity (XRR) and X-ray photoelectron spec-troscopy (XPS). When grown under va...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of rare earths 2012-02, Vol.30 (2), p.189-192
1. Verfasser: 程学瑞 戚泽明 张焕君 张国斌 潘国强
Format: Artikel
Sprache:eng
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