Fang–Howard wave function modelling of electron mobility in AlInGaN/AlN/InGaN/GaN double heterostructures

To study the electron transport properties in InGaN channel-based heterostructures, a revised Fang-Howard wave function is proposed by combining the effect of GaN back barrier. Various scattering mechanisms, such as dislocation impurity (DIS) scattering, polar optical phonon (POP) scattering, piezoe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2021-09, Vol.30 (9), p.97201-518
Hauptverfasser:	Li, Yao, Pu, Hong-Bin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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