8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究

O571.5; 本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验.由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂.为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法.实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据....

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	原子能科学技术 2021, Vol.55 (12), p.2128-2134
Hauptverfasser:	傅婧, 李豫东, 冯婕, 文林, 郭旗
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!