双空位缺陷双层石墨烯储钠性能的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）的色散修正方法,研究了Na吸附和嵌入在双空位缺陷（DV）双层石墨烯（BLG）体系中的形成能、电荷转移、电极电势和扩散行为。形成能计算表明,无论单个Na原子在BLG表面吸附还是层间嵌入,均在DV空位中心处更稳定。电荷密度分布和Bader电荷计算表明Na与BLG的结合方式表现出离子性。Na嵌入DV缺陷BLG层间,缺陷浓度增加使BLG由AB堆垛向AA堆垛转变过程推迟;使Na在DV缺陷BLG的表面和层间能够稳定储钠的容量之和增至262.75 mAh？g~（-1）,对应浓度Na与C摩尔比为2：17,储钠浓度继续增加,Na在BLG表面吸附容易产生枝晶或团簇。当层间嵌入Na原子...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	物理化学学报 2017, Vol.33 (3), p.520-529
1. Verfasser:	杨绍斌 李思南 沈丁 唐树伟 孙闻 陈跃辉
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	双层石墨烯 容量 密度泛函理论 扩散 缺陷
Online-Zugang:	Volltext
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